Micron Technology Inc. EDF8132A3MA-JD-F-D
- 收藏
- 对比
EDF8132A3MA-JD-F-D
1616-EDF8132A3MA-JD-F-D
存储器
FBGA
大陆
立即发货

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA
--最小包装量--
EDF8132A3MA-JD-F-D详情
Micron Technology Inc. EDF8132A3MA-JD-F-D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C~85°C TC
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
178
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.14V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.2V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PBGA-B178
电源电压-最大值(Vsup)
1.3V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14V
内存大小
8Gb 256M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
933MHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256MX32
内存宽度
32
记忆密度
8589934592 bit
访问模式
双库页面突发
座位高度(最大)
0.85mm
宽度
10.5mm
长度
11.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EDF8132A3MA-JD-F-D拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。