Micron Technology Inc. JS28F00AM29EWHE
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JS28F00AM29EWHE
1616-JS28F00AM29EWHE
存储器
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
--最小包装量--
JS28F00AM29EWHE详情
Micron Technology Inc. JS28F00AM29EWHE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
引脚数
56
供应商器件包装
56-TSOP
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2015
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
2.7V~3.6V
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
2.7V
内存大小
1Gb 128M x 8 64M x 16
电源电流
31mA
访问时间
110ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
110ns
密度
1 Gb
同步/异步
Asynchronous
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
JS28F00AM29EWHE拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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