Micron Technology Inc. JS28F256M29EWHD
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JS28F256M29EWHD
1616-JS28F256M29EWHD
存储器
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 110ns 56-Pin TSOP
--最小包装量--
JS28F256M29EWHD详情
Micron Technology Inc. JS28F256M29EWHD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
56
Memory Types
Non-Volatile
已出版
2015
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
56
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
哑光锡
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
JS28F256
引脚数量
56
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
256Mb 32M x 8 16M x 16
电源电流
31mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
16MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
110ns
密度
256 Mb
访问时间(最大)
110 ns
同步/异步
Asynchronous
编程电压
3V
备用内存宽度
8
引导模块
BOTTOM/TOP
宽度
14mm
座位高度(最大)
1.2mm
长度
18.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
JS28F256M29EWHD拓展信息
Micron Technology Inc.
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