Micron Technology Inc. M29DW127G70NF6E
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M29DW127G70NF6E
1616-M29DW127G70NF6E
存储器
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 70ns 56-Pin TSOP Tray
--最小包装量--
M29DW127G70NF6E详情
Micron Technology Inc. M29DW127G70NF6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
引脚数
56
Memory Types
Non-Volatile
Current - Supply (Nom)
10mA
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
64
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
端子间距
1mm
JESD-30代码
S-PBGA-B64
电源
3/3.3V
内存大小
128Mb 16M x 8 8M x 16
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
8MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
密度
128 Mb
待机电流-最大值
0.0001A
访问时间(最大)
70 ns
同步/异步
Asynchronous
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
862
页面尺寸
8/16words
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM/TOP
通用闪存接口
YES
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
M29DW127G70NF6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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