Micron Technology Inc. M29DW641F60ZE6E
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M29DW641F60ZE6E
1616-M29DW641F60ZE6E
存储器
48-TFBGA
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IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA
1最小包装量--
M29DW641F60ZE6E详情
Micron Technology Inc. M29DW641F60ZE6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
unknown
基本部件号
M29DW641
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源
3/3.3V
内存大小
64Mb 4M x 16
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
4MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
60ns
待机电流-最大值
0.0001A
记忆密度
67108864 bit
访问时间(最大)
60 ns
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
16126
行业规模
4K32K
页面尺寸
8words
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM/TOP
通用闪存接口
YES
RoHS状态
ROHS3 Compliant
M29DW641F60ZE6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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