Micron Technology Inc. M29W640GT7AN6E
- 收藏
- 对比
M29W640GT7AN6E
1616-M29W640GT7AN6E
存储器
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
大陆
立即发货

PARALLEL NOR FLASH EMBEDDED MEMORY
--最小包装量--
M29W640GT7AN6E详情
Micron Technology Inc. M29W640GT7AN6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2015
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
电压 - 供电
3V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
M29W640
JESD-30代码
R-PDSO-G48
内存大小
64Mb 8M x 8 4M x 16
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
4MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
记忆密度
67108864 bit
访问时间(最大)
70 ns
编程电压
3V
备用内存宽度
8
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
2.7V
长度
18.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
12mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
M29W640GT7AN6E拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。