Micron Technology Inc. M29W800DT45N6E
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M29W800DT45N6E
1616-M29W800DT45N6E
存储器
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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MICRON M29W800DT45N6E Flash Memory, 8 Mbit, 1M x 8bit / 512K x 16bit, CFI, Parallel, TSOP, 48 Pins
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M29W800DT45N6E详情
Micron Technology Inc. M29W800DT45N6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
包装/外壳
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
安装类型
表面贴装
引脚数
48
Current - Supply (Nom)
10mA
Memory Types
Non-Volatile
已出版
2008
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
TOP BOOT BLOCK
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
M29W800
电源
3.3V
电压
2.7V
内存大小
8Mb 1M x 8 512K x 16
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
512KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
密度
8 Mb
待机电流-最大值
0.0001A
访问时间(最大)
45 ns
同步/异步
Asynchronous
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
12115
行业规模
16K8K32K64K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
TOP
通用闪存接口
YES
宽度
12mm
座位高度(最大)
1.2mm
长度
18.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
M29W800DT45N6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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