Micron Technology Inc. M36W0R6050L4ZSE
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M36W0R6050L4ZSE
1616-M36W0R6050L4ZSE
存储器
56-TFBGA
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IC FLASH 64M PARALLEL 56TFBGA
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M36W0R6050L4ZSE详情
Micron Technology Inc. M36W0R6050L4ZSE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
56
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-30°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2013
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
56
端子表面处理
锡银铜
附加功能
IT ALSO HAVING 32-MBIT PSRAM
HTS代码
8542.32.00.71
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
M36W0R
JESD-30代码
R-PBGA-B56
资历状况
不合格
电源
1.8V
内存大小
64Mb 4M x 16
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
70ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
4MX16
内存宽度
16
记忆密度
67108864 bit
电压 - 供电 (最大值)
1.95V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
长度
6mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
M36W0R6050L4ZSE拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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