Micron Technology Inc. M58WR064EB70ZB6
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M58WR064EB70ZB6
1616-M58WR064EB70ZB6
存储器
56-VFBGA
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IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA
1最小包装量--
M58WR064EB70ZB6详情
Micron Technology Inc. M58WR064EB70ZB6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-VFBGA
表面安装
YES
引脚数
56
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
1998
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
56
ECCN 代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.75mm
基本部件号
M58WR064
内存大小
64Mb 4M x 16
时钟频率
66MHz
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
4MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
地址总线宽度
22b
密度
64 Mb
访问时间(最大)
70 ns
电压 - 供电 (最大值)
2.2V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
引导模块
BOTTOM
长度
9mm
座位高度(最大)
1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
M58WR064EB70ZB6拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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