MT25QL02GCBB8E12-0AAT
MT25QL02GCBB8E12-0AAT

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Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0AAT

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型号

MT25QL02GCBB8E12-0AAT

utmel 编号

1616-MT25QL02GCBB8E12-0AAT

商品类别

存储器

封装

24-TBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA

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MT25QL02GCBB8E12-0AAT
MT25QL02GCBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA

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MT25QL02GCBB8E12-0AAT详情

Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0AAT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 包装/外壳

    24-TBGA

  • 安装类型

    表面贴装

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • Usage Level

    Automotive grade

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -40°C~105°C TA

  • JESD-609代码

    e1

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    24

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3V

  • 端子间距

    1mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B24

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7V

  • 内存大小

    2Gb 256M x 8

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    133MHz

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    SPI

  • 组织结构

    256MX8

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    8ms, 2.8ms

  • 记忆密度

    2147483648 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 编程电压

    3V

  • 备用内存宽度

    1

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 宽度

    6mm

  • 长度

    8mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0AAT.

MT25QL02GCBB8E12-0AAT拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

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M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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