注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥514.676259
10
¥485.543641
100
¥458.060038
500
¥432.132108
1000
¥407.671799
Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0AAT
- 收藏
- 对比
MT25QL02GCBB8E12-0AAT
1616-MT25QL02GCBB8E12-0AAT
存储器
24-TBGA
大陆
立即发货

IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MT25QL02GCBB8E12-0AAT详情
Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0AAT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
24-TBGA
安装类型
表面贴装
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Automotive grade
系列
Automotive, AEC-Q100
包装
Bulk
操作温度
-40°C~105°C TA
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
24
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PBGA-B24
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
2Gb 256M x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
133MHz
内存格式
FLASH
内存接口
SPI
组织结构
256MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
8ms, 2.8ms
记忆密度
2147483648 bit
并行/串行
SERIAL
编程电压
3V
备用内存宽度
1
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
6mm
长度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT25QL02GCBB8E12-0AAT拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。