Micron Technology Inc. MT29E2T08CUHBBM4-3:B
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MT29E2T08CUHBBM4-3:B
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MT29E2T08CUHBBM4-3:B详情
Micron Technology Inc. MT29E2T08CUHBBM4-3:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Memory Types
Non-Volatile
包装
Tray
操作温度
0°C~70°C TA
零件状态
不用于新设计
电压 - 供电
2.5V~3.6V
内存大小
2Tb 256G x 8
时钟频率
333MHz
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
MT29E2T08CUHBBM4-3:B拓展信息
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