Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-10Z:A
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MT29F128G08CECABH1-10Z:A
1616-MT29F128G08CECABH1-10Z:A
存储器
100-VBGA
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MLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 128G-bit 16G x 8 20ns 100-Pin VBGA
1最小包装量--
MT29F128G08CECABH1-10Z:A详情
Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-10Z:A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
100-VBGA
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
100
Current - Supply (Nom)
50mA
Memory Types
Non-Volatile
包装
Tube
操作温度
0°C~70°C TA
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
界面
Parallel, Serial
内存大小
128Gb 16G x 8
时钟频率
100MHz
访问时间
20 ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
16GX8
内存宽度
8
密度
128 Gb
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
编程电压
2.7V
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
2.7V
宽度
12mm
座位高度(最大)
1mm
长度
18mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F128G08CECABH1-10Z:A拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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