Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
- 收藏
- 对比
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
1616-MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
存储器
63-VFBGA
大陆
立即发货

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
1最小包装量--
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D详情
Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAHC-IT:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
3 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
引脚数
63
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Bulk
已出版
2012
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
基本部件号
MT29F1G08
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 128M x 8
电源电流
20mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
128MX8
内存宽度
8
地址总线宽度
28b
密度
1 Gb
待机电流-最大值
0.00005A
访问时间(最大)
25 ns
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1K
行业规模
128K
页面尺寸
2kB
准备就绪/忙碌
YES
长度
13mm
座位高度(最大)
1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。