Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-IT:E
- 收藏
- 对比
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E
1616-MT29F1G08ABBEAH4-IT:E
存储器
63-VFBGA
大陆
立即发货

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 128M x 8bit
--最小包装量--
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E详情
Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-IT:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
引脚数
63
Memory Types
Non-Volatile
Current - Supply (Nom)
20mA
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Bulk
已出版
2003
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT29F1G08
内存大小
1Gb 128M x 8
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
128MX8
内存宽度
8
地址总线宽度
28b
密度
1 Gb
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
电压 - 供电 (最大值)
1.95V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
页面尺寸
2kB
长度
11mm
座位高度(最大)
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。