MT29F1T208ECCBBJ4-37:B
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Micron Technology Inc. MT29F1T208ECCBBJ4-37:B

  • 收藏
  • 对比

型号

MT29F1T208ECCBBJ4-37:B

utmel 编号

1616-MT29F1T208ECCBBJ4-37:B

商品类别

存储器

封装

132-VBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC FLASH 1.125T PARALLEL 267MHZ

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. IC FLASH 1.125T PARALLEL 267MHZ

请发送询价,我们将立即回复。

库存:655

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

MT29F1T208ECCBBJ4-37:B详情

Micron Technology Inc. MT29F1T208ECCBBJ4-37:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    132-VBGA

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 内存大小

    1.125Tb 144G x 8

  • 时钟频率

    267MHz

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    Parallel

0个相似型号

MT29F1T208ECCBBJ4-37:B拓展信息

M28W320FCB70N6E
M28W320FCB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

Micron Technology Inc.

PC28F00AM29EWHA
PC28F00AM29EWHA

Micron Technology Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z