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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥45.169177
10
¥42.612435
100
¥40.200409
500
¥37.924909
1000
¥35.77822
Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
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- 对比
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
1616-MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
存储器
63-VFBGA
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IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
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¥
总价: ¥
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR详情
Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
5 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT29F2G08
JESD-30代码
R-PBGA-B63
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
2Gb 256M x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
256MX8
内存宽度
8
记忆密度
2147483648 bit
编程电压
2.7V
长度
11mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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