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Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR

Name: MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: 1616-MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR

商品类别

存储器

封装

63-VFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA T/R

起订量

--最小包装量--

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MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR Micron Technology Inc. SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA T/R

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MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR详情

技术参数

Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

5 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

63-VFBGA
表面安装

YES
Memory Types

Non-Volatile
Usage Level

Industrial grade
操作温度

-40°C~85°C TA
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2013
JESD-609代码

e1
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

63
端子表面处理

锡银铜
电压 - 供电

1.7V~1.95V
端子位置

BOTTOM
功能数量

1
电源电压

1.8V
端子间距

0.8mm
基本部件号

MT29F2G08
引脚数量

63
JESD-30代码

R-PBGA-B63
电源电压-最大值(Vsup)

1.95V
电源电压-最小值(Vsup)

1.7V
内存大小

2Gb 256M x 8
操作模式

ASYNCHRONOUS
内存格式

FLASH
内存接口

Parallel
组织结构

256MX8
内存宽度

8
记忆密度

2147483648 bit
编程电压

1.8V
长度

13mm
座位高度(最大)

1mm
宽度

10.5mm
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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