Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4:E TR
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MT29F2G16ABBEAH4:E TR
1616-MT29F2G16ABBEAH4:E TR
存储器
63-VFBGA
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IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
1最小包装量--
MT29F2G16ABBEAH4:E TR详情
Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4:E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
3 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Digi-Reel®
已出版
2013
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
端子表面处理
锡银铜
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
基本部件号
MT29F2G16
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源
1.8V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
2Gb 128M x 16
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
128MX16
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00005A
记忆密度
2147483648 bit
访问时间(最大)
25 ns
编程电压
1.8V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
2K
行业规模
64K
页面尺寸
1Kwords
准备就绪/忙碌
YES
长度
11mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F2G16ABBEAH4:E TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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