Micron Technology Inc. MT29F2G16ABDHC:D TR
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MT29F2G16ABDHC:D TR
1616-MT29F2G16ABDHC:D TR
存储器
63-VFBGA
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IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
1最小包装量--
MT29F2G16ABDHC:D TR详情
Micron Technology Inc. MT29F2G16ABDHC:D TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
63
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT29F2G16
JESD-30代码
R-PBGA-B63
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.65V
内存大小
2Gb 128M x 16
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
128MX16
内存宽度
16
记忆密度
2147483648 bit
编程电压
1.8V
长度
13mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
10.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F2G16ABDHC:D TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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