Micron Technology Inc. MT29F32G08AECBBH1-12:B
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MT29F32G08AECBBH1-12:B
1616-MT29F32G08AECBBH1-12:B
存储器
100-VBGA
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SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100-Pin VBGA
--最小包装量--
MT29F32G08AECBBH1-12:B详情
Micron Technology Inc. MT29F32G08AECBBH1-12:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
100-VBGA
引脚数
100
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Bulk
已出版
2004
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT29F32G08
引脚数量
100
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
界面
Parallel, Serial
内存大小
32Gb 4G x 8
电源电流
50mA
时钟频率
83MHz
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
4GX8
内存宽度
8
地址总线宽度
1b
密度
32 Gb
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
编程电压
2.7V
长度
18mm
座位高度(最大)
1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F32G08AECBBH1-12:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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