Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
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MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
1616-MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
存储器
63-VFBGA
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
1最小包装量--
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR详情
Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
5 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT29F4G08
JESD-30代码
R-PBGA-B63
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
4Gb 512M x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
512MX8
内存宽度
8
记忆密度
4294967296 bit
编程电压
1.8V
长度
11mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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