Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D
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MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D
1616-MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D
存储器
63-VFBGA
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512MX8 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VFBGA 1.8V ASYNCH/PAG
1最小包装量--
MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D详情
Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.7V~1.95V
工作电源电压
1.8V
内存大小
4Gb 512M x 8
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
编程电压
3.3V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D拓展信息
Micron Technology Inc.
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