Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A
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MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A
1616-MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A
存储器
100-VBGA
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8GX8 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VBGA 3.3V SYNCH/PAGE RE
1最小包装量--
MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A详情
Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
表面安装
YES
包装/外壳
100-VBGA
引脚数
100
Memory Types
Non-Volatile
已出版
2016
包装
Tube
操作温度
0°C~70°C TA
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
100
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
64Gb 8G x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
83MHz
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
8GX8
内存宽度
8
记忆密度
68719476736 bit
编程电压
2.7V
长度
18mm
宽度
12mm
座位高度(最大)
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A拓展信息
Micron Technology Inc.
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