Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F
1616-MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F
存储器
162-VFBGA
大陆
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IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
--最小包装量--
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F详情
Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
162-VFBGA
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.8V
内存大小
4Gb 128M x 32 N 2G 64M x 32 LPDDR2
时钟频率
533MHz
内存格式
FLASH, RAM
内存接口
Parallel
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F拓展信息
Micron Technology Inc.
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