Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-062E:E
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MT40A1G16KNR-062E:E
1616-MT40A1G16KNR-062E:E
存储器
96-TFBGA
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IC SDRAM DDR4 MULTICHIP
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MT40A1G16KNR-062E:E详情
Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-062E:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
96-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
96
附加功能
自动刷新
电压 - 供电
1.14V~1.26V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.2V
端子间距
0.8mm
JESD-30代码
R-PBGA-B96
电源电压-最大值(Vsup)
1.26V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14V
内存大小
16Gb 1G x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1.6GHz
访问时间
19ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1GX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
17179869184 bit
长度
13.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
7.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT40A1G16KNR-062E:E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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