Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E IT:B
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MT40A256M16GE-075E IT:B
1616-MT40A256M16GE-075E IT:B
存储器
96-TFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ
--最小包装量--
MT40A256M16GE-075E IT:B详情
Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E IT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
96-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2017
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
终止次数
96
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.14V~1.26V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.2V
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PBGA-B96
电源电压-最大值(Vsup)
1.26V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14V
内存大小
4Gb 256M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1.33GHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256MX16
内存宽度
16
记忆密度
4294967296 bit
访问模式
多库页面突发
长度
14mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
9mm
RoHS状态
符合RoHS标准
MT40A256M16GE-075E IT:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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