Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E AAT:F
- 收藏
- 对比
MT40A256M16LY-062E AAT:F
1616-MT40A256M16LY-062E AAT:F
存储器
96-TFBGA
大陆
立即发货

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
--最小包装量--
MT40A256M16LY-062E AAT:F详情
Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E AAT:F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
96-TFBGA
Memory Types
Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~105°C TC
包装
Bulk
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.14V~1.26V
内存大小
4Gb 256M x 16
时钟频率
1.6GHz
访问时间
19ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT40A256M16LY-062E AAT:F拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。