Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E:B TR
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MT40A2G4WE-075E:B TR
1616-MT40A2G4WE-075E:B TR
存储器
78-TFBGA
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IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
1最小包装量--
MT40A2G4WE-075E:B TR详情
Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-TFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.14V~1.26V
内存大小
8Gb 2G x 4
时钟频率
1.33GHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT40A2G4WE-075E:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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