Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-083E:B
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MT40A2G4WE-083E:B
1616-MT40A2G4WE-083E:B
存储器
78-TFBGA
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IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ
--最小包装量--
MT40A2G4WE-083E:B详情
Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-083E:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
零件状态
Obsolete
终止次数
78
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.14V~1.26V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.2V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B78
工作电源电压
1.2V
电源电压-最大值(Vsup)
1.26V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14V
内存大小
8Gb 2G x 4
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1.2GHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2GX4
内存宽度
4
记忆密度
8589934592 bit
访问模式
多库页面突发
长度
12mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MT40A2G4WE-083E:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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