Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
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MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
1616-MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
存储器
78-TFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
1最小包装量--
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR详情
Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
78
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.14V~1.26V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.2V
端子间距
0.8mm
JESD-30代码
R-PBGA-B78
电源电压-最大值(Vsup)
1.26V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14V
内存大小
4Gb 512M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1.2GHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512MX8
内存宽度
8
记忆密度
4294967296 bit
筛选水平
AEC-Q100
访问模式
多库页面突发
长度
10.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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