Micron Technology Inc. MT41J512M4HX-15E:D
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MT41J512M4HX-15E:D
1616-MT41J512M4HX-15E:D
存储器
78-TFBGA
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IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78FBGA
--最小包装量--
MT41J512M4HX-15E:D详情
Micron Technology Inc. MT41J512M4HX-15E:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-TFBGA
引脚数
78
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
155mA
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
78
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.5V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.8mm
基本部件号
MT41J512M4
内存大小
2Gb 512M x 4
端口的数量
1
时钟频率
667MHz
访问时间
13.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512MX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
地址总线宽度
18b
密度
2 Gb
待机电流-最大值
0.012A
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
1.575V
电压 - 供电 (最小值)
1.425V
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
长度
11.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT41J512M4HX-15E:D拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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