Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-125:E
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MT41K1G8TRF-125:E
1616-MT41K1G8TRF-125:E
存储器
78-TFBGA
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DRAM Chip DDR3L SDRAM 8G-Bit 1Gx8 1.35V 78-Pin FBGA
--最小包装量--
MT41K1G8TRF-125:E详情
Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-125:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-TFBGA
引脚数
78
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2013
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
78
端子表面处理
锡铅银
附加功能
自我更新
电压 - 供电
1.283V~1.45V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
电源电压
1.35V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT41K1G8
工作电源电压
1.35V
电源电压-最大值(Vsup)
1.45V
电源电压-最小值(Vsup)
1.283V
内存大小
8Gb 1G x 8
端口的数量
1
电源电流
180mA
时钟频率
800MHz
访问时间
13.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
1GX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
地址总线宽度
19b
密度
8 Gb
待机电流-最大值
0.036A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
长度
11.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT41K1G8TRF-125:E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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