Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-107:E
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MT41K512M16TNA-107:E
1616-MT41K512M16TNA-107:E
存储器
96-TFBGA
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DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.35V 96-Pin FBGA
--最小包装量--
MT41K512M16TNA-107:E详情
Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-107:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
96-TFBGA
引脚数
96
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2015
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
96
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.283V~1.45V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.35V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
工作电源电压
1.35V
电源电压-最大值(Vsup)
1.425V
电源电压-最小值(Vsup)
1.283V
内存大小
8Gb 512M x 16
端口的数量
1
电源电流
275mA
时钟频率
933MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
512MX16
内存宽度
16
地址总线宽度
18b
密度
8 Gb
长度
14mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT41K512M16TNA-107:E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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