Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-125:P
- 收藏
- 对比
MT41K512M8DA-125:P
1616-MT41K512M8DA-125:P
存储器
78-TFBGA
大陆
立即发货

IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
--最小包装量--
MT41K512M8DA-125:P详情
Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-125:P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-TFBGA
供应商器件包装
78-FBGA (8x10.5)
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.283V~1.45V
工作电源电压
1.35V
内存大小
4Gb 512M x 8
时钟频率
800MHz
访问时间
13.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT41K512M8DA-125:P拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。