Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-107:E
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MT41K512M8RH-107:E
1616-MT41K512M8RH-107:E
存储器
78-TFBGA
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DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
--最小包装量--
MT41K512M8RH-107:E详情
Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-107:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-TFBGA
引脚数
78
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2013
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
78
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.283V~1.45V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.35V
端子间距
0.8mm
基本部件号
MT41K512M8
工作电源电压
1.35V
电源电压-最大值(Vsup)
1.45V
电源电压-最小值(Vsup)
1.283V
内存大小
4Gb 512M x 8
端口的数量
1
时钟频率
933MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
512MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
地址总线宽度
19b
密度
4 Gb
待机电流-最大值
0.016A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
长度
10.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT41K512M8RH-107:E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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