Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-107 IT:E
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MT41K512M8RH-107 IT:E
1616-MT41K512M8RH-107 IT:E
存储器
78-TFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
--最小包装量--
MT41K512M8RH-107 IT:E详情
Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-107 IT:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
78
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.35V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.8mm
基本部件号
MT41K512M8
JESD-30代码
R-PBGA-B78
资历状况
不合格
电源
1.35V
内存大小
4Gb 512M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
933MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.016A
记忆密度
4294967296 bit
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
1.45V
电压 - 供电 (最小值)
1.283V
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
长度
10.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT41K512M8RH-107 IT:E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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