MT44K16M36RB-093E:A
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Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E:A

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型号

MT44K16M36RB-093E:A

utmel 编号

1616-MT44K16M36RB-093E:A

商品类别

存储器

封装

168-TBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip RLDRAM3 576M-Bit 16Mx36 1.35V 168-Pin FBGA

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MT44K16M36RB-093E:A
MT44K16M36RB-093E:A Micron Technology Inc. DRAM Chip RLDRAM3 576M-Bit 16Mx36 1.35V 168-Pin FBGA

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MT44K16M36RB-093E:A详情

Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E:A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    168-TBGA

  • 引脚数

    168

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~95°C TC

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2014

  • JESD-609代码

    e1

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    168

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.32

  • 电压 - 供电

    1.28V~1.42V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.35V

  • 端子间距

    1mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    MT44K16M36

  • 引脚数量

    168

  • 工作电源电压

    1.35V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.42V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.28V

  • 内存大小

    576Mb 16M x 36

  • 端口的数量

    1

  • 时钟频率

    1067MHz

  • 访问时间

    8ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    36b

  • 组织结构

    16MX36

  • 内存宽度

    36

  • 地址总线宽度

    23b

  • 密度

    576 Mb

  • 长度

    13.5mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E:A.

MT44K16M36RB-093E:A拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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