Micron Technology Inc. MT45W2MW16BAFB-856 WT
- 收藏
- 对比
MT45W2MW16BAFB-856 WT
1616-MT45W2MW16BAFB-856 WT
存储器
54-VFBGA
大陆
立即发货

IC PSRAM 32M PARALLEL 54VFBGA
--最小包装量--
MT45W2MW16BAFB-856 WT详情
Micron Technology Inc. MT45W2MW16BAFB-856 WT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C~85°C TC
包装
Box
已出版
2005
JESD-609代码
e0
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
54
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.75mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT45W2MW16
引脚数量
54
JESD-30代码
R-PBGA-B54
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源
1.81.8/3V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
32Mb 2M x 16
操作模式
SYNCHRONOUS
内存格式
PSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
85ns
待机电流-最大值
0.00011A
记忆密度
33554432 bit
访问时间(最大)
85 ns
I/O类型
COMMON
长度
8mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
6mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
MT45W2MW16BAFB-856 WT拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。