Micron Technology Inc. MT46H256M32L4SA-48 WT:C
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MT46H256M32L4SA-48 WT:C
1616-MT46H256M32L4SA-48 WT:C
存储器
168-TFBGA
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DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8G-Bit 256M x 32 1.8V 168 -Pin WFBGA
1最小包装量--
MT46H256M32L4SA-48 WT:C详情
Micron Technology Inc. MT46H256M32L4SA-48 WT:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
168-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-25°C~85°C TA
包装
Bulk
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
168
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PBGA-B168
资历状况
不合格
电源
1.8V
内存大小
8Gb 256M x 32
时钟频率
208MHz
访问时间
5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
14.4ns
待机电流-最大值
0.00001A
记忆密度
8589934592 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
24816
交错突发长度
24816
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT46H256M32L4SA-48 WT:C拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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