Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
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MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
1616-MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
存储器
90-VFBGA
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DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2G-Bit 64M x 32 1.8V 90 -Pin VFBGA
1最小包装量--
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C详情
Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Bulk
已出版
2015
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.8mm
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源
1.8V
内存大小
2Gb 64M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
208MHz
访问时间
5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
14.4ns
待机电流-最大值
0.00001A
记忆密度
2147483648 bit
筛选水平
AEC-Q100
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
1.95V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
刷新周期
8192
顺序突发长度
24816
交错突发长度
24816
长度
13mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C拓展信息
Micron Technology Inc.
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