Micron Technology Inc MT46V128M4BN-5B
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MT46V128M4BN-5B
1616-MT46V128M4BN-5B
存储器
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DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60
1最小包装量--
MT46V128M4BN-5B详情
Micron Technology Inc MT46V128M4BN-5B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
60
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TBGA, BGA60,9X12,40/32
Access Time-Max
0.7 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Number of Words
134217728 words
Number of Words Code
128000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TBGA
Package Equivalence Code
BGA60,9X12,40/32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.6 V
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.5 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
128MX4
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR1 DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
12.5 mm
宽度
10 mm
MT46V128M4BN-5B拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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