MT46V128M8P-6T:A
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Micron Technology Inc. MT46V128M8P-6T:A

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型号

MT46V128M8P-6T:A

utmel 编号

1616-MT46V128M8P-6T:A

商品类别

存储器

封装

66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip DDR SDRAM 1G-Bit 128Mx8 2.5V 66-Pin TSOP Tray

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MT46V128M8P-6T:A
MT46V128M8P-6T:A Micron Technology Inc. DRAM Chip DDR SDRAM 1G-Bit 128Mx8 2.5V 66-Pin TSOP Tray

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MT46V128M8P-6T:A详情

Micron Technology Inc. MT46V128M8P-6T:A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)

  • 引脚数

    66

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    66

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.32

  • 电压 - 供电

    2.3V~2.7V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    2.5V

  • 端子间距

    0.65mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    MT46V128M8

  • 引脚数量

    66

  • 工作电源电压

    2.5V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.7V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.3V

  • 内存大小

    1Gb 128M x 8

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    230mA

  • 时钟频率

    167MHz

  • 访问时间

    700ps

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    8b

  • 组织结构

    128MX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 地址总线宽度

    16b

  • 密度

    1 Gb

  • 待机电流-最大值

    0.01A

  • I/O类型

    COMMON

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    248

  • 交错突发长度

    248

  • 长度

    22.22mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Micron Technology Inc. MT46V128M8P-6T:A.

MT46V128M8P-6T:A拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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