Micron Technology Inc. MT46V32M8CY-5B:M
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MT46V32M8CY-5B:M
1616-MT46V32M8CY-5B:M
存储器
60-TFBGA
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IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60FBGA
1最小包装量--
MT46V32M8CY-5B:M详情
Micron Technology Inc. MT46V32M8CY-5B:M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
60-TFBGA
安装类型
表面贴装
引脚数
60
Memory Types
Volatile
已出版
2012
包装
Bulk
操作温度
0°C~70°C TA
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.5V~2.7V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
2.6V
端子间距
1mm
基本部件号
MT46V32M8
工作电源电压
2.6V
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源电压-最小值(Vsup)
2.5V
内存大小
256Mb 32M x 8
端口的数量
1
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
15b
密度
256 Mb
待机电流-最大值
0.004A
最高频率
400MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
248
交错突发长度
248
长度
12.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
MT46V32M8CY-5B:M拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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