Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75 IT:D
- 收藏
- 对比
MT46V64M8FN-75 IT:D
1616-MT46V64M8FN-75 IT:D
存储器
60-TFBGA
大陆
立即发货

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
1最小包装量--
MT46V64M8FN-75 IT:D详情
Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75 IT:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2007
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
5 (48 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅银
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
1mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT46V64M8
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源
2.5V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
133MHz
访问时间
750ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.005A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
248
交错突发长度
248
长度
12.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
10mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
MT46V64M8FN-75 IT:D拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。