Micron Technology Inc MT46V8M16TG-75E
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MT46V8M16TG-75E
1616-MT46V8M16TG-75E
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DDR DRAM, 8MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66
1最小包装量--
MT46V8M16TG-75E详情
Micron Technology Inc MT46V8M16TG-75E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
66
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Part Package Code
TSOP
Package Description
0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66
Access Time-Max
0.75 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
8388608 words
Number of Words Code
8000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSSOP
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
66
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.375 mA
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.003 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR1 DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
22.22 mm
宽度
10.16 mm
MT46V8M16TG-75E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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