Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E AIT:C
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MT47H256M8EB-25E AIT:C
1616-MT47H256M8EB-25E AIT:C
存储器
60-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
--最小包装量--
MT47H256M8EB-25E AIT:C详情
Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E AIT:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2014
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
MT47H256M8
JESD-30代码
R-PBGA-B60
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
2Gb 256M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
2147483648 bit
筛选水平
AEC-Q100
长度
11.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT47H256M8EB-25E AIT:C拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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