Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-3:C
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MT47H256M8EB-3:C
1616-MT47H256M8EB-3:C
存储器
60-TFBGA
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray
--最小包装量--
MT47H256M8EB-3:C详情
Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-3:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
60
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
2Gb 256M x 8
端口的数量
1
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
256MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
18b
密度
2 Gb
待机电流-最大值
0.012A
最高频率
667MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
11.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT47H256M8EB-3:C拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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