Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-25E:M
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MT47H256M8THN-25E:M
1616-MT47H256M8THN-25E:M
存储器
63-TFBGA
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IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
1最小包装量--
MT47H256M8THN-25E:M详情
Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-25E:M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-TFBGA
引脚数
63
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.7V~1.9V
基本部件号
MT47H256M8
工作电源电压
1.8V
内存大小
2Gb 256M x 8
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
14b
密度
2 Gb
最高频率
400MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT47H256M8THN-25E:M拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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