Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-3:H
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MT47H256M8THN-3:H
1616-MT47H256M8THN-3:H
存储器
63-TFBGA
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IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA
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MT47H256M8THN-3:H详情
Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-3:H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-TFBGA
引脚数
63
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tray
已出版
2002
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT47H256M8
工作电源电压
1.8V
内存大小
2Gb 256M x 8
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
256MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
17b
密度
2 Gb
待机电流-最大值
0.014A
最高频率
667MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT47H256M8THN-3:H拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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