Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-25E:C
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MT47H512M4EB-25E:C
1616-MT47H512M4EB-25E:C
存储器
60-TFBGA
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 512Mx4 1.8V 60-Pin FBGA Tray
--最小包装量--
MT47H512M4EB-25E:C详情
Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-25E:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tray
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.7V~1.9V
基本部件号
MT47H512M4
引脚数量
60
工作电源电压
1.8V
内存大小
2Gb 512M x 4
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
4b
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
18b
密度
2 Gb
最高频率
800MHz
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT47H512M4EB-25E:C拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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